3月11号下午，著名电力电子专家、中国电气工程学会高级会员、武汉大学电气工程学院院长陈柏超教授应邀在我校学术报告厅作了一场题为“虚拟气隙可控电抗器及应用”的学术报告。报告会由河南省高等学校控制工程重点学科开放实验室副主任艾永乐主持。电气学院全体研究生及部分本科生到场聆听此次报告。
　  陈柏超，武汉大学教授、博士生导师，国务院学位委员会学科评议组委员（电气工程组），中国电机工程学会过电压分专委会委员、国网电科院（武汉）特聘研究员。陈柏超教授长期从事电力系统过电压抑制及电力电子技术在高电压领域应用方面的研究，特别是在磁饱和可控电抗器领域的研究处于国际领先水平，是具有国际知名度的电力电子专家。
    报告会伊始，陈柏超首先从“技术研究”、“应用范围”、“智能电网”等方面介绍了可控电抗器的发展历程。他指出，当今的磁控电抗器已满足不了发展的需要，必须进行技术上的再突破，而虚拟气隙可控电抗器正解决了这个难题。接着，他从“极限饱和技术”和“磁阀技术”两方面对虚拟气隙可控电抗器进行了详细的阐述，并指出虚拟气隙可控电抗器具有广阔的应用前景和科研价值。然后，他由动态无补尝的三种形式即“相控电抗器”、“埃斯微机”、“磁控电抗器”引入了虚拟气隙理论。他指出，无功补偿是不断变化的，而虚拟气隙电抗器正是基于此理论，并说明了虚拟气隙电抗器的三大特性：“极低谐波”、“高速响应”、“损耗小、噪音低”。随后，他向同学们详细介绍了电压合格性、电流稳定性以及电容器的调法，分析了无功补偿潮流和有功补偿潮流的特点。最后，同学们分别从“特高压的输出”、“交直流补偿的改变”、“极限磁饱和”等方面积极提问，陈柏超耐心细致的向同学们一一作了解答。
    陈柏超渊博的知识，深入浅出的讲解赢得了与会师生的阵阵掌声。会后，同学们纷纷表示，此次报告会加深了自己对专业知识体系的了解，开阔了视野，明确了今后的学习目标，激发了自主学习的热情，并携手共同努力积极营造出浓厚的学术文化氛围。